IGBT，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOSFET(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合全控壓驅(qū)動功率半導體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優(yōu)點。由于這個原因，IGBT被廣泛使用。主要用于實現(xiàn)電壓、頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等功能，俗稱電力電子裝置的“CPU”，廣泛應用于光伏/風電設備、新能源汽車、家電、儲能、軌道交通、電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。

成果歸屬：合作研發(fā)的管理機制，成果歸屬是否存在糾紛或潛在糾紛；

合作原因及權(quán)利義務：合作研發(fā)的背景及原因，合作協(xié)議的主要內(nèi)容，合作雙方權(quán)利義務劃分，發(fā)行人采取的保密措施，合作研發(fā)的費用與支付情況；

是否涉及技術(shù)依賴：委托研發(fā)的分工及各自發(fā)揮的作用，授權(quán)發(fā)行人使用研發(fā)成果的期限、是否為獨占許可，在發(fā)行人核心技術(shù)、產(chǎn)品中的運用情況，發(fā)行人是否存在技術(shù)依賴，相關(guān)技術(shù)的委托研發(fā)是否屬于行業(yè)慣例；核心技術(shù)是否存在重大依賴；

是否涉及虛增研發(fā)費用情形：合作研發(fā)的合理性及必要性，合作方是否為關(guān)聯(lián)方。

核心技術(shù)保護措施：發(fā)行人的核心技術(shù)是否取得專利或其他技術(shù)保護措施、核心技術(shù)的科研實力和成果情況；未取得新的發(fā)明專利的原因，是否存在相關(guān)技術(shù)水平處于瓶頸或重大技術(shù)難題無法突破的情況；

是否擁有健全的研發(fā)體系：主要核心技術(shù)的取得時間，報告期內(nèi)研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例變化情況，發(fā)行人是否擁有高效的研發(fā)體系，是否具備持續(xù)創(chuàng)新能力，保持技術(shù)不斷創(chuàng)新的機制是否有效；

在研項目詳細情況：在研項目的項目名稱、項目介紹、研發(fā)目標及主要方向、所處階段、開發(fā)周期、應用前景、技術(shù)儲備及技術(shù)創(chuàng)新等，與行業(yè)發(fā)展趨勢的對比。

1、是否存在糾紛及潛在糾紛：知識產(chǎn)權(quán)是否存在權(quán)屬糾紛；知識產(chǎn)權(quán)是否存在權(quán)利限制；知識產(chǎn)權(quán)是否存在到期注銷、終止、宣布無效等異常情況；

2、重點關(guān)注受讓取得專利：知識產(chǎn)權(quán)是否存在受讓取得的情況，受讓取得的發(fā)明專利來源、原權(quán)利人基本情況、受讓取得的原因、定價依據(jù)及公允性；知識產(chǎn)權(quán)是否存在侵權(quán)使用的情況；

3、海外專利情況：海外專利的取得是否存在障礙，境內(nèi)取得的發(fā)明專利是否可以在海外進行相同發(fā)明專利的申請和注冊，海外注冊是否會侵犯國際競爭對手的相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)等情況；

4、若存在異常需量化影響：知識產(chǎn)權(quán)異常狀態(tài)對生產(chǎn)經(jīng)營的影響。